Samsung MZ-VAP4T0BW

• Kapacitás: 4 TB
• Interfész: PCIe Gen 5.0 x4, NVMe 2.0
• Forma: M.2 (2280)
• Méretek: 80,15 x 22,15 x 2,38 mm
• Tömeg: legfeljebb 9 g
• NAND flash memória: Samsung V-NAND TLC (V8)
• Kontroller: Samsung saját fejlesztésű (5 nm)
• DRAM cache memória: 4 GB LPDDR4X
• Szekvenciális olvasási sebesség: legfeljebb 14 800 MB/s
• Szekvenciális írási sebesség: legfeljebb 13 400 MB/s
• Véletlenszerű olvasás (4KB, QD32): legfeljebb 2 200 000 IOPS
• Véletlenszerű írás (4KB, QD32): legfeljebb 2 600 000 IOPS
• Átlagos energiafogyasztás (olvasás/írás): 9,0 W / 8,2 W
• Energiafogyasztás (készenléti állapot): 6,5 mW
• L1.2 mód fogyasztás: 5,7 mW
• Üzemi hőmérséklet: 0°C
• 70°C
• Nem üzemi hőmérséklet:
• 40°C
• 85°C
• Ütésállóság: 1 500 G, 0,5 ms (fél szinusz hullám)
• MTBF (átlagos meghibásodásmentes idő): 1,5 millió óra
• TBW (írási terhelhetőség): 2 400 TB
• Titkosítás: AES 256-bit, TCG/Opal 2.0, IEEE1667
• Támogatott funkciók: TRIM, S.M.A.R.T, Garbage Collection, Dynamic Thermal Guard
• Szoftver: Samsung Magician
• RoHS megfelelőség: Igen
• Kompatibilitás: PCIe 5.0 rendszerekkel és PlayStation 5-tel