Samsung MZ-V9S1T0BW

• Kapacitás: 1 TB
• Interfész: PCIe Gen 4.0 x4 / Gen 5.0 x2, NVMe 2.0
• Forma: M.2 (2280)
• Méretek: 80 x 22 x 2,38 mm
• Tömeg: kb. 9 g
• NAND flash memória: Samsung V-NAND TLC (236 réteg)
• Kontroller: Samsung Piccolo
• DRAM cache memória: Nincs (Host Memory Buffer
• HMB)
• Szekvenciális olvasási sebesség: legfeljebb 7 150 MB/s
• Szekvenciális írási sebesség: legfeljebb 6 300 MB/s
• Véletlenszerű olvasás (4KB, QD32): legfeljebb 850 000 IOPS
• Véletlenszerű írás (4KB, QD32): legfeljebb 1 350 000 IOPS
• Átlagos energiafogyasztás (olvasás/írás): 4,3 W / 4,2 W
• Energiafogyasztás (készenléti állapot): 60 mW
• L1.2 mód fogyasztás: 5 mW
• Üzemi hőmérséklet: 0°C
• 70°C
• Nem üzemi hőmérséklet:
• 40°C
• 85°C
• Ütésállóság: 1 500 G, 0,5 ms (fél szinusz hullám)
• MTBF (átlagos meghibásodásmentes idő): 1,5 millió óra
• TBW (írási terhelhetőség): 600 TB
• Titkosítás: AES 256-bit, TCG/Opal 2.0, IEEE1667
• Támogatott funkciók: TRIM, S.M.A.R.T, Garbage Collection, Dynamic Thermal Guard
• Szoftver: Samsung Magician
• RoHS megfelelőség: Igen
• Kompatibilitás: PCIe 4.0 és PCIe 5.0 rendszerekkel